2019年1月、二回目の日中半導体協会交流会の開催約一年後、中国福建省厦門市で第三回日中半導体業界交流会を開催し、約50名業界関係者様はご来場いただきました。

　今回の交流会で、半導体業界のSi-IGBT及びSiC-MOSFET技術の動きについて、日本の名門大学である筑波大学のパワーデバイス研究室の岩室憲幸教授が講演をしていただきました。そして、岩室教授はたくさんの来客様からの質問答えていただき、最新の情報を日中半導体業界に提供していただきました。