浩瀚全材的“化合物半导体晶圆（衬底）项目”举行了开工仪式，总投资额为5亿元，项目总占地面积 1万8千平方米,购置国产设备900余台，引进进口设备 100余台。该项目将建设生产Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶圆，生产涵盖2-4英寸GaSb、InSb等半导体晶圆产品。项目达产后，年产能达到220万片以上。