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2023.12.15
DNP 开发出用于 3 纳米等效光刻技术的光掩膜制造工艺，以支持电路线宽扩展。
DNP (DNP) 于 12 月 12 日宣布，该公司已开发出一种相当于 3 纳米的光掩膜制造工艺，可与半导体制造领域最先进的工艺 EUV（极紫外线）光刻兼容。随着智能手机、数据中心和其他产品中使用的逻辑半导体性能的不断提高，人们需要更细的电路线宽，该公司顺应了这一需求。
DNP (DNP) 于 12 月 12 日宣布，该公司已开发出一种相当于 3 纳米的光掩膜制造工艺，可与半导体制造领域最先进的工艺 EUV（极紫外线）光刻兼容。随着智能手机、数据中心和其他产品中使用的逻辑半导体性能的不断提高，人们需要更细的电路线宽，该公司顺应了这一需求。