最新情报
2024.03.22
东芝 D&S 扩展了用于工业机械的 SiC MOSFET 模块阵容，在 1700V 击穿电压下具有低导通损耗
东芝器件与存储公司（Toshiba D&S）采用第三代碳化硅（SiC）MOSFET 芯片，扩大了用于工业设备的 SiC MOSFET 模块阵容，推出了击穿电压为 1700 V、漏极电流额定值为 250 A 的 SiC MOSFET 模块 MG250V2YMS3。
东芝器件与存储公司（Toshiba D&S）采用第三代碳化硅（SiC）MOSFET 芯片，扩大了用于工业设备的 SiC MOSFET 模块阵容，推出了击穿电压为 1700 V、漏极电流额定值为 250 A 的 SiC MOSFET 模块 MG250V2YMS3。