近日，据南京大学官方消息，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。该技术不仅解决了传统切割技术中的高材料损耗问题，还大幅提高了生产效率，对推动碳化硅器件制造技术的发展具有重大意义。 传统的多线切割技术在加工碳化硅时存在材料损耗率高和加工周期长的问题，这不仅增加了生产成本，也限制了产能。”项目负责人介绍，传统方法在切割环节的材料利用率仅为50%，而经过抛光研磨后的材料损耗高达75%。为了克服这些挑战，南京大学的技术团队采用激光切片设备，显著降低了材料损耗，并提升了生产效率。以一个20毫米的SiC晶锭为例，传统线锯技术能生产30片350微米的晶圆，而激光切片技术能生产50多片，甚至在优化晶圆几何特性后，可以将单片晶圆厚度减少到200微米，从而使单个晶锭生产的晶圆数量超过80片。