3月24日，日本产业技术综合研究所宣布，开发出可进行大电流工作的金刚石半导体（MOSFET）器件，并成功演示了安培级的高速开关操作。该成果是由产业技术综合研究所先进电力电子研究中心新功能设备团队高级首席研究员梅泽仁、研究团队负责人牧野敏晴、研究中心副主任竹内大介以及本田技术研究所组成的研究团队取得的。部分细节于3月10日在《应用物理快报》（APEX）上在线发表，并计划于4月在美国西雅图举办的2025年MRS春季会议及展览会上公布。许多功率半导体材料，例如 Si、SiC 和 GaN，都是基于 n 型导电性（其中带负电的电子移动），并且具有低 p 型导电性（其中带正电的空穴移动）的问题。金刚石半导体具有优异的p型导电性，并具有5.5eV的较大带隙，是所有材料中热导率最高的材料之一，并且具有较高的电介质击穿场，这使它们成为一种下一代半导体，也被称为终极功率半导体。