4月21日，清纯半导体官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ，比导通电阻系数Rsp达到2.1 mΩ·cm²，处于国际领先水平。source：清纯半导体（图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变化）在此之前，清纯半导体第一代产品的比导通电阻为3.3 mΩ·cm²左右，2023年发布的第二代产品为2.8 mΩ·cm²，2024年进一步降低至2.4mΩ·cm²。该平台通过专利技术和工艺完善，在降低导通电阻的同时，保持了与前两代相近的优良短路耐受特性。这使得新能源汽车电机驱动器能够进一步释放SiC高功率密度及高能量转化效率潜力，提高续航里程。