2025年5月，由东京农工大学、大阳日酸、奈良女子大学、工学院大学、大阪府立大学/国家信息通信技术研究所（NICT）以及太阳日酸ATI组成的研究小组宣布，他们已开发出一种快速生长β型氧化镓（β-Ga2O3）晶体的技术。这种晶体作为下一代功率半导体材料备受关注。这些β-Ga2O3晶体采用独特的减压热壁金属有机气相外延（MOVPE）方法生长，并可高精度控制n型载流子密度。在执行功率转换的功率半导体领域，采用高介质击穿场强和低功耗材料的器件研究正在取得进展。本次我们重点介绍的β-Ga2O3晶体，其带隙约为4.5eV，击穿场强为8MV/cm，与日益实用化的SiC（碳化硅）晶体和GaN（氮化镓）晶体相比，具有更优异的特性。