2025年6月，东京大学和奈良先端科学技术大学院大学的联合研究小组宣布，他们利用新开发的氧化物半导体结晶技术，开发出一种“环栅(GAA)型氧化物半导体晶体管”。这将进一步提升氧化物半导体器件实现更高集成度和功能性的可能性。此次，该研究小组采用原子层沉积(ALD)法，形成氧化物半导体“InGaOx (IGO)”纳米薄膜。随后，通过热处理，他们成功形成了平坦、均匀结晶的IGO薄膜。利用这项技术，他们通过在IGO纳米薄膜和牺牲层之间实现高蚀刻选择性，开发出了制造GAA型氧化物半导体晶体管所需的工艺。