6月22日，上海证券报、证券时报报道，芯联集成旗下控股子公司芯联动力对外官宣，正式推出3300V SiC MOSFET器件，产品现已送至下游核心客户开展验证工作。企业披露，这款高压碳化硅器件填补国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用领域的空白，属于AI基础设施高压电源、宽禁带半导体赛道的产品突破。整套基于3300V器件搭建的电源系统方案，能够将整机系统BOM成本降低20%-35%，支撑固态变压器实现更高开关频率、更小设备体积与更高电能转换效率。该器件依托企业自研8英寸碳化硅工艺平台开发，采用自研高压平面栅SiC MOSFET技术，具备更优的导通电阻与栅电荷综合性能指标。以10千伏中压固态变压器前端电路为例，对比行业主流1200V器件方案，搭载3300V产品后系统母线电压可提升至1800V至2200V，功率电路级联数量减少约60%，配套MOS管、外围无源器件用量同步缩减，PCB布线结构大幅简化，装配与控制环节成本同步下降。