ICSCRM2019

 ICSCRM（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials）は、SiC材料およびWBG半導体分野での技術的な議論のための重要なフォーラムです。 1987年、ワシントンDCで一回目のICSCRMが開催され、それ以降は2年ごとにヨーロッパ、アメリカ、日本の間で交互に行われてきました。 ICSCRM 2019 は9月29日～10月4日に、日本の京都で完璧な結末を迎えました。

 ICSCRM2019には、世界中の半導体専門家と経験豊富なエンジニア、およびさまざまなWBG半導体分野で働く若い学者が集まりました。 SiC単結晶成長、エピタキシャル成長、基本的な物理特性、欠陥検出と特徴付け、パワーデバイスの製造、パッケージングなどの分野に関しました。