12月6日、蘇州閤威特半導体株式会社（略称：閤威特）科創板IPOが成功した。

   募集説明書によると、今回、上海株式取引所科創板に上陸する予定で、公開発行予定株式数は1842.1053万株（超過配給選択権を用いて発行された株式数を含まない）を超えず、発行後の総株式の25%を下回らない。

   閤威特は今回、インテリジェントパワー半導体の研究開発・グレードアッププロジェクト、SiCパワーデバイスの研究開発・グレードアッププロジェクト、パワー半導体研究開発エンジニアリングセンターのグレードアッププロジェクト、運営資金の補充に約5億3000万元の資金を募集する予定だ。

　近年、半絶縁性SiC基板上にエピタキシャル成長させたGaN高移動度トランジスタ（GaN−on−SiC HEMTS）はマイクロ波無線周波数領域の電力増幅器回路に広く応用されているが、GaNとSiC結晶間の格子不整合と熱不整合のため、GaNエピタキシャル層中の転位密度が低下しにくく、応力を調整するために界面にバッファ層を成長させる必要がある。

半絶縁性GaN自立基板に基づくGaN高移動度トランジスタ（GaN−on−GaNHEMts）は基板とエピタキシャル層の熱不整合と格子不整合を回避し、エピタキシャル層構造設計を簡略化することができ、またGaN−on−GaNエピタキシャル層は一般的なGaN−on−SiCエピタキシャル層の転位密度より3桁以上低いため、2次元電子ガス（2 DEG）チャネルにおける格子品質を大幅に向上させ、同等条件下での2次元電子ガスの移動度をさらに向上させることができる。