基本的な半導体デバイスの高スループット製造のスペシャリストであるネクスペリアは、本日、低電圧（100/150V）および高電圧（650V）アプリケーション向けの初のEモード（強化）パワーGaN FETを発表した。ネクスペリアは、カスケード接続のGaN製品群に、新たに7つのE-modeデバイスを追加した。 GaN FETからその他のシリコンベースのパワーデバイスまで、Nexperiaの幅広いポートフォリオは、設計者に最良の選択肢を提供する。