OKIと信越化学工業は5日、縦型GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスの進展に貢献する新技術を発表した。信越化学が独自改良したQST基板（GaN成長専用の複合材料基板）から、OKIのCFB技術（基板から剝離する技術）を使ってGaN機能層だけを剝離し、異種材料基板へ接合する技術。縦型導電が可能となり、大電流を制御する縦型パワーデバイスの実現と普及につながる。両社は顧客とのパートナーリングなどを通じ、社会実装可能なパワーデバイスの開発を進める。