三菱電機は13日、蘭ネクスペリアと、パワーエレクトロニクス市場向けSiC（炭化ケイ素）パワー半導体の共同開発に向けた戦略的パートナーシップに合意したと発表した。三菱は、強みである化合物半導体技術などを適用したSiC-MOSFETチップをネクスペリア向けに開発・供給。ネクスペリアは、三菱のSiCチップを搭載したSiCディスクリート製品を開発する。