6月18日、年間36万枚のSiCウエハを生産する長飛先進の武漢工場のメイン部分が完成した。この拠点は武漢で誕生した最初のプロジェクトで、第3世代半導体パワーデバイスの研究、開発、生産に焦点を当てており、チップの設計と製造、先端技術の研究開発を統合した最新の半導体製造基盤の構築に取り組んでいる。プロジェクトの総投資額は200億元を超える見込みで、敷地面積は約22万9,400平方メートル、建設面積は約30万1,500平方メートルである。主な建設内容は、ウエハ製造工場、パッケージング工場、エピタキシャル工場、発電所、完成品倉庫、総合事務棟、社員寮、生産支援施設などとなっている。このプロジェクトが稼働すると、年間36万枚のSiCウエハとエピタキシャル、6100万個のパワーデバイスモジュールを生産できるようになり、新エネルギー車、太陽光発電、エネルギーの貯蔵、充電ステーションなどの分野で広く使用されることになる。