最近、国家知識産権局の情報によると、至讯创新科技（无锡）有限公司が「半導体設計PVT差異除去の電子回路、方法および集積回路」という特許を取得したことが明らかになった。認可公告番号CN 119171887 B、申請日は2024年11月である。公開情報によると、至讯创新科技はメモリチップ技術の革新に重点を置くハイテク企業である。2021年に設立され、無錫に本社を置いている。同社は、长江存储の元 CTO である汤强博士が率いている。コアチームは、世界的に有名な半導体企業から優秀な人材を集め、民生用電子機器、モノのインターネット、監視、産業用制御、自動車用電子機器をカバーする高性能メモリチップの開発に取り組んでいる。至讯创新は、19nm産業グレードの2D NANDフラッシュメモリチップの量産に成功し、エッジAIストレージ技術の開発を加速するために複数回の資金調達を完了した。