最近、九峰山研究所の研究チームは、世界で初めて8インチのシリコンベースの窒素極性窒化ガリウム（N極性GaNOI）高電子移動度材料の製造を達成した。この成果により、RF フロントエンドなどのシステム レベル チップは周波数、効率、統合の面で飛躍的に進歩し、次世代通信、自動運転、レーダー検出、マイクロ波エネルギー伝送などの最先端技術の開発を強力にサポートする。GaN 結晶構造の極性方向は、デバイスの性能とアプリケーションに重要な影響を及ぼす。結晶成長の極性方向に応じて、主に窒素極性 GaN (N 極性 GaN) とガリウム極性 GaN (Ga 極性 GaN) の 2 つの反対の極性タイプに分けられる。研究によると、高周波および高出力デバイスの分野では、窒素極性窒化ガリウムは従来のガリウム極性窒化ガリウム技術よりも明らかな利点があることがわかった。