4月21日、清纯半導体の公式Weiboアカウントは、第3世代SiC MOSFETテクノロジープラットフォームの発売を発表した。このプラットフォームの最初のメインドライブチップ（モデル：S3M008120BK）は、室温でのオン抵抗が8mΩと低く、オン抵抗係数Rspは2.1mΩ·cm²と、世界をリードするレベルにある。これまで、清纯半導体の第1世代製品のオン抵抗は約3.3 mΩ·cm²であったが、2023年にリリースされた第2世代製品は2.8 mΩ·cm²、2024年にはさらに2.4 mΩ·cm²まで低減された。このプラットフォームは、特許取得済みの技術とプロセスを通じて改良されており、オン抵抗を低減しながらも、前の2世代と同様に優れた短絡耐性特性を維持している。これにより、新エネルギー車のモーター駆動装置は、SiC の高出力密度と高エネルギー変換効率の潜在能力をさらに発揮し、走行距離を延ばすことができる。