東京農工大学と大陽日酸、奈良女子大学、工学院大学、大阪公立大学／情報通信研究機構（NICT）および、大陽日酸ATIによる研究グループは2025年5月、次世代パワー半導体の材料として注目されている「β型酸化ガリウム（β-Ga2O3）」結晶を、高速に成長させる技術を開発したと発表した。このβ-Ga2O3結晶は、独自の減圧ホットウォール有機金属気相成長（MOVPE）法を用いて成長させ、高い精度でn型キャリア密度を制御している。電力変換を行うパワー半導体では、絶縁破壊電界強度が大きく、電力損失が小さい材料を用いたデバイスの研究が進んでいる。今回注目したβ-Ga2O3結晶は、バンドギャップが約4.5eVで、絶縁破壊電界強度は8MV/cmである。実用化が進むSiC（炭化ケイ素）結晶やGaN（窒化ガリウム）結晶に比べ、優れた特性を備えている。