東京大学と奈良先端科学技術大学院大学の共同研究グループは2025年6月、新たに開発した結晶化酸化物半導体の形成技術を用い、「ゲートオールアラウンド（GAA）型酸化物半導体トランジスタ」を開発したと発表した。酸化物半導体デバイスのさらなる高集積化と高機能化を実現できる可能性が高まった。研究グループは今回、原子層堆積（ALD）法を用い酸化物半導体「InGaOx（IGO）」のナノ薄膜を形成した。そして熱処理を行い、平たんで均一に結晶化したIGOの成膜に成功した。この技術を用いて、IGOのナノ薄膜と犠牲層の間に、高いエッチング選択比を実現するなどして、GAA型酸化物半導体トランジスタの製造に必要となるプロセスを開発した。