6月22日付の中国メディア報道によると、芯聯集成傘下の芯聯動力は3300V耐圧のSiC MOSFETを正式発表し、すでに主要顧客向けにサンプル提供を開始した。同製品は、国内の高耐圧SiCデバイスとしては固体変圧器（Solid-State Transformer）の主電力段向け用途を開拓するものであり、AIインフラ向け高圧電源市場における重要な技術的ブレークスルーと位置付けられている。3300V SiC MOSFETを採用したシステムでは、BOMコストを20～35％削減できるほか、高周波動作、小型化、高効率化を実現できる。自社開発の8インチSiCプロセスを基盤としており、高耐圧プレーナゲートSiC MOSFET技術により、オン抵抗とゲート電荷特性を大幅に改善している。10kV級固体変圧器を例にすると、従来の1200V品と比較してバス電圧を1800～2200Vまで引き上げることができ、電力回路の直列接続数を約60％削減できるため、周辺部品やPCB設計の簡素化にも寄与する。