近日，北京大学与中镓半导体、波兰国家高压实验室合作，利用乙烯气源制作了具有世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底。

利用乙烯气源制作半绝缘性GaN基板，对制作的GaN材料进行了表征，证明了乙烯气源的掺杂效率比以往的甲烷气源高40倍。在相同的测试温度下比较了以前报道的半绝缘衬底参数，其中一种用乙烯制备的半绝缘氮化镓样品达到了目前报道的最高GaN体电阻率。

近年来，在半绝缘性SiC基板上外延生长GaN高迁移率晶体管（GaN-on-SiC HEMTS）被广泛应用于微波射频区域的功率放大器电路，但由于GaN与SiC晶体间的晶格失配和热失配，GaN外延层中的位错密度难以降低为了调整应力，需要在界面上生长缓冲层。

基于半绝缘性GaN自支撑衬底GaN高迁移率晶体管（GaN-on-GaNHEMts）可以避免衬底和外延层的热失配和晶格失配，简化外延层结构设计，另外，由于GaN-on-GaN外延层比一般的GaN-on-SiC外延层的位错密度低3个数量级以上二维电子气（2DEG）通道中的晶格质量可以大大提高，并且在同等条件下二维电子气的迁移率可以进一步提高。