12月6日，苏州锴威特半导体股份有限公司（简称：锴威特）科创板IPO成功上市。

根据招股说明书，此次拟登陆上海股票交易所科创板，公开发行股票数量不超过1842.1053万股（不包括使用超额配给选择权发行的股票数量），不低于发行后总股本的25%。

  锴威特此次拟募集资金约5.3亿元用于智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目、功率半导体研发工程中心升级项目、运营资金的补充。

  近年来，在半绝缘性SiC基板上外延生长GaN高迁移率晶体管（GaN-on-SiC HEMTS）被广泛应用于微波射频区域的功率放大器电路，但由于GaN与SiC晶体间的晶格失配和热失配，GaN外延层中的位错密度难以降低为了调整应力，需要在界面上生长缓冲层。

基于半绝缘性GaN自支撑衬底GaN高迁移率晶体管（GaN-on-GaNHEMts）可以避免衬底和外延层的热失配和晶格失配，简化外延层结构设计，另外，由于GaN-on-GaN外延层比一般的GaN-on-SiC外延层的位错密度低3个数量级以上二维电子气（2DEG）通道中的晶格质量可以大大提高，并且在同等条件下二维电子气的迁移率可以进一步提高。