据半导体产业网报道，厦门大学康俊勇教授团队日前采用铁电网格控制方法，首次实现了单层和双层WS2非易失性谷的控制，在室温下获得了较高的谷极化率。这项研究为室温谷电子器件的开发奠定了基础，研究成果将发表在著名学术杂志ACS Nano上。

   能量谷是指材料能带中的极值点，是电子的新自由度。谷电子器件基于能量谷属性的编码和探测，在信息存储、处理和传输领域具有重要的应用前景。二硫化钨（WS2）具有强自旋轨道耦合、高量子产率和大激子结合能，是研究能谷特性的理想载体。为了实现谷电子器件的广泛应用，一个重要的挑战是保持高的谷极化率，即电子局部处于动量空间中的一个谷中。