瑞萨电子（Renesas Electronics）采用 22 纳米逻辑混合 MRAM 工艺和 10.8 兆位 MRAM 存储单元阵列，开发出一种可实现高速读取和重写操作的自旋注入磁化反转磁阻存储器（MRAM）技术。一个微型竞赛原型芯片的随机存取频率超过 200 兆赫，重写吞吐量达到 10.4 兆字节/秒。