晶圆代工：联电x英特尔曝进展，12nm预计2026年“收官”。5月30日，晶圆代工大厂联电召开年度股东会，共同总经理简山杰表示，与英特尔合作开发12nm制程平台将是联电未来技术发展的关键点，预计2026年开发完成，2027年进入量产。

氮化镓：佳恩半导体x西安电子科技大学。5月28日，青岛佳恩半导体有限公司（以下简称“佳恩半导体”）与西安电子科技大学战略合作签约仪式在青岛举行。资料显示，青岛佳恩半导体有限公司一直致力于高端半导体功率器件的设计、开发、制造及销售，作为新一代的功率半导体设计公司，佳恩掌握着创新型功率半导体核心技术，拥有自主知识产权和自主品牌。

碳化硅：X-Fab和Soitec将在美国得州展开合作。近日，Soitec宣布，将与纯晶圆代工厂X-Fab开始合作，在X-Fab位于德克萨斯州拉伯克的工厂提供Soitec的SmartSiC技术用于生产碳化硅功率器件。此次合作是在评估阶段成功完成之后进行的，在此期间，X-Fab Texas在6英寸SmartSiC晶圆上制造了碳化硅(SiC)功率器件。Soitec将通过联合供应链寄售模式为X-Fab的客户提供SmartSiC衬底的使用权。