4月7日，京都工艺纤维大学宣布，成功研制出首款采用超宽带隙半导体“金红石二氧化锗”（r-GeO2）的垂直肖特基势垒二极管（SBD）。该成果是由京都工艺纤维大学电气电子工程系助理教授、日本学术振兴会特别研究员（PD，现为名古屋工业大学工学部电气电子工程专业助理教授）金江一隆、研究生清家一郎、西中弘之教授等研究团队共同完成的。详细内容刊登在日本应用物理学会出版的学术期刊《应用物理快报》上。