在2025年横滨汽车技术博览会（2025年5月21日至23日，横滨太平洋国际会展中心）上，电装推出了一种8英寸SiC晶圆的新制造方法，以及一种新开发的栅极驱动IC，可以提高由SiC器件组成的逆变器的效率。升华法是制造SiC晶片的常用方法，但由于晶种的生长速度较慢，存在生产效率的问题。 Denso 正在开发一种新方法，利用高温气体来更快地生长晶体。采用这种新方法生长晶体所需的时间极短，仅为升华法生长晶体所需时间的十五分之一。