9月28日晚间，长鑫科技发布公告，公司计划使用部分超募资金，分别投建DRAM技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目，两个项目合计总投资额349亿元，拟投入超募资金合计180亿元。相关议案已于当日经公司第二届董事会第六次会议审议通过，尚需提交股东大会继续审议。据公告披露，技术研发项目总投资241亿元，拟投入超募资金130亿元，项目选址位于合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内，建设周期30个月。项目资金主要用于设备购置，将围绕DRAM存储芯片开展制程工艺迭代、存储密度优化、功耗与读写性能提升等研发工作。公告注明，该项目属于研发类项目，不单独测算投资回报，技术成果将赋能公司DRAM主营产品。另一项目为存储器晶圆后道测试基地二期项目，实施主体为长鑫科技全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司。项目总投资108亿元，公司拟通过增资与借款相结合的方式，向这家子公司提供50亿元超募资金。项目选址合肥肥西县，规划建设一座测试工厂，开展DRAM存储芯片测试以及模组组装业务，项目建设周期37个月，资金主要用于设备采购与安装。