7月3日、中国日報より、哈爾浜新区と科友半導体に共同出資された、産学研連携区プロジェクトの起工式が行われ、建設面積は4.5万平方メートルで、第1期計画投資額は10億元となる。主に第３代半導体基板材料の製造と装置開発に投資し、プロジェクト完成後ウェハー10万枚、高純度インゴット1000キロ、PVT-SICインゴット成長装置200台以上の年間生産力を見込まれている。