ルネサスエレクトロニクスは、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリー（MRAM）の高速読み出し可能な技術と、書き換え動作の高速化を実現する技術を開発した。22ナノメートルロジック混載MRAMプロセスによって、10.8メガビットのMRAMメモリーセルアレイを搭載したマイコンテストチップを試作し、ランダムアクセス周波数200メガヘルツ超と、書き換えスループット10.4メガバイト／秒を達成した。