IC産業の発展が「ポスト・ムーア時代」に入ると、ICチップの性能を改善することはますます困難になり、コストがかかるようになり、人々は新しい技術的解決策を早急に見つける必要がある。現在、シリコンフォトニクス技術や薄膜ニオブ酸リチウムフォトニクス技術に代表される集積オプトエレクトロニクス技術が、このボトルネック問題を解決する破壊的技術となっている。 中でもニオブ酸リチウムは「光シリコン」として知られ、ハーバード大学など海外の研究機関も「シリコンバレー」をベースにした新世代の「ニオブ酸リチウムバレー」の建設計画を提案しているほどで、近年広く注目を集めている。最近、中国科学院上海マイクロシステム情報技術研究所の科学研究チームも、タンタル酸リチウム異種集積ウェーハと高性能フォトニックチップの分野で画期的な進歩を遂げ、量産可能な新しい「光シリコン」チップの開発に成功した。ニオブ酸リチウムと同様に、科学研究チームとその共同研究者らは、単結晶タンタル酸リチウム膜にも優れた電気光変換特性があること、また複屈折、透明窓範囲、フォトリフラクションに対する耐性、周波数コム生成の点でニオブ酸リチウムよりも優れていることを証明した。さらに、シリコンベースのタンタル酸リチウムヘテロウェーハ（LTOI）の製造プロセスは、よりシリコンオンインシュレータ（SOI）の製造プロセスに近いため、タンタル酸リチウム薄膜は、低コストかつ大量生産が可能であり、極めて高い応用価値を有している。