デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展 2025 YOKOHAMA」（2025年5月21～23日、パシフィコ横浜）において、8インチSiC（シリコンカーバイド）ウエハーの新たな工法と、SiCデバイスで構成するインバーターの効率を向上できる新開発のゲート駆動ICを紹介した。SiCウエハーの一般的な工法としては昇華法が知られているが、種結晶からの成長速度が遅いため生産効率に課題がある。デンソーが開発中の新たな工法は、高温ガスを用いることでより高速に結晶を成長させられる。新工法の結晶成長にかかる時間は、昇華法の15分の1と極めて短い。