北京大学と中国人民大学の研究者からなる研究チームは、4年間の研究を経て、新たな「スチーマー」法を開発し、世界で初めて高品質のセレン化インジウム材料のウェハレベルの統合製造に成功し、3ナノメートルのシリコンベースのチップを超えるコア性能を持つトランジスタデバイスを開発した。この研究成果は18日、科学誌「サイエンス」にオンライン掲載された。セレン化インジウムは「黄金の半導体」として知られている。しかし、長い間、大面積かつ高品質のインジウムセレン化物の製造は達成されておらず、この材料の大規模集積応用が制限され、国際的な半導体分野における大きな技術的課題となっていた。「高品質、高性能のセレン化インジウムを調製するには、調製プロセス中にセレン原子とインジウム原子の比率を厳密に1：1に維持することが重要なステップです」と北京大学物理学院凝縮物質物理学および材料物理学研究所所長の劉開輝氏は述べた。従来の製造方法では、通常、開放容器を使用してセレンとインジウムを加熱するが、それらの「蒸発」速度が異なるため、2つの原子の数が最適な比率に達することを保証できず、製造される結晶の品質が低下する。