《科創板日報》の取材によると、中国科学技術大学の張樹辰・特任教授チームは、米国パデュー大学および上海科技大学の研究者と共同で、新型半導体材料分野において重要な研究成果を挙げた。研究チームは、二次元イオン性ソフト格子材料において、面内でプログラム可能かつ原子レベルで平坦な「モザイク型」横方向ヘテロ接合の制御構築に世界で初めて成功し、将来の高性能発光デバイスおよび集積デバイスの研究開発に新たな道を切り開いた。関連成果は1月15日、国際的権威学術誌『Nature』にオンライン掲載された。半導体分野では、材料平面内で横方向に高精度なヘテロ構造を形成することは、新奇物性の探索、新型デバイスの開発、ならびにデバイス微細化を推進する上で重要である。しかし、二次元ハロゲン化物ペロブスカイトに代表されるイオン性ソフト格子半導体は、結晶構造が柔軟かつ不安定であり、従来のフォトリソグラフィなどの加工技術では反応が過度に激しく、材料構造を破壊しやすいため、高品質な横方向ヘテロ集積の実現が困難であった。このような材料系において、高品質かつ制御可能な外延成長による横方向ヘテロ接合を実現することは、本分野における重要な科学的課題とされてきた。