2026年5月22日、西湖烟山科技（杭州）有限公司は、世界初となる8インチSi基GaN（窒化ガリウム）MicroLED IDM量産ラインが浙江省徳清工場で正式稼働を開始したと発表した。本ラインは材料エピタキシャル成長、チップ製造、先進封止までを一貫して行うフルIDMモデルを採用し、Si基GaNエピ成長からMicroLED完成品まで統合生産を実現する。従来の4インチサファイア基板方式とは異なり、8インチSi基GaN技術を採用することで、高い光取り出し効率、優れた加工歩留まり、6N超の接続信頼性を実現している。烟山科技は2022年5月設立で、Westlake Universityの産学連携背景を基盤に、同大学研究員の孔玮博士によって創業された。中核チームは半導体界面処理および化合物材料成長分野で豊富な経験を持つ。同社はMOCVD材料成長、ハイブリッドボンディング、RGB三色垂直積層などの重要技術を保有しており、すでに8インチSi基GaNプラットフォームで全工程プロセス検証を完了している。