最近、南京大学の公式ニュースによると、南京大学は大型サイズSiCのレーザースライシング装置と技術の開発に成功し、第3世代半導体材料加工装置の分野における我が国の重要な進歩を示した。この技術は、従来の切断技術における材料ロスが大きいという問題を解決するだけでなく、生産効率も大幅に向上させるものであり、SiCデバイスの製造技術の開発を促進する上で非常に重要である。従来のマルチワイヤ切断技術には、SiCを加工する際の材料の損失率が高く、加工サイクルが長いという問題があり、生産コストが増加するだけでなく、生産能力も制限されてしまう。「プロジェクトの担当者によると、従来の切削加工における材料利用率はわずか50％で、研磨や研削後の材料損失は75％にも上るという。これらの課題を克服するために、南京大学の技術チームはレーザー スライシング装置を使用した。これにより、材料の損失が大幅に削減され、生産効率が向上した。20 mmのSiCインゴットを例にとると、従来のワイヤーソー技術では350μのウェーハを30枚製造できるが、レーザースライシング技術は50枚以上のウェーハを生産でき、ウェーハの幾何学的特性を最適化した後なら、1枚のウェーハの厚さを200ミクロンまで薄くすることができるため、1つのインゴットから生産されるウェーハの数は80枚を超える。